氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进:后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产

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关键信息总结:

  1. 台积电动态:晶圆代工龙头台积电宣布计划于2027年终止氮化镓(GaN)晶圆的生产,逐步退出GaN领域。

  2. 三星GaN布局

    • 产能进展:三星首条8英寸GaN生产线即将就绪,最快2026年第二季度(2026Q2)投产,初期营收规模预计在1000亿韩元(约合人民币4.62亿元)以内。
    • 技术能力:三星已建立包含自产GaN外延晶圆在内的GaN解决方案体系,具备从设计到生产的全流程能力。
  3. 三星SiC扩张:除GaN外,三星计划于2026年内投运碳化硅(SiC)功率半导体晶圆代工生产线,在SiC领域同样拥有从设计到生产的全流程能力,可与GaN在不同耐压区间形成技术互补。

  4. 行业意义:三星在GaN和SiC领域的布局形成协同,填补了台积电退出GaN后的市场空白,且通过技术互补强化功率半导体领域竞争力。

时间线与核心对比:

  • GaN领域:台积电2027年退出,三星2026Q2投产,形成产业“新旧交替”。
  • SiC领域:三星年内投运,将进一步扩大其功率半导体技术版图。

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