1000 亿美元投资,美光宣布纽约州克莱 DRAM 内存晶圆厂 1 月 16 日动工

fmt 美光(Micron)宣布,其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的DRAM内存晶圆厂集群项目将于2026年1月16日(当地时间)正式动工。该项目总投资达1000亿美元(按当前汇率约合7002.6亿元人民币),将成为纽约州有史以来规模最大的单笔私人投资。项目完工后,将形成全球最先进的内存制造基地。

关键信息整理:

  • 项目主体:美光(Micron)
  • 地点:美国纽约州奥农达加县克莱镇
  • 项目类型:DRAM内存晶圆厂集群
  • 动工时间:2026年1月16日(当地时间)
  • 投资规模:1000亿美元(约7002.6亿元人民币)
  • 项目意义:纽约州最大单笔私人投资,完工后为全球最先进内存制造基地
  • 信息来源:leyunetwork1月8日报道

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