三星电子2026年将大幅提升HBM内存产能
据韩媒ETNews报道，三星电子计划在2026年积极扩大HBM（高带宽内存）制造能力，理论产能将从当前每月约17万片晶圆增至约25万片，增幅接近五成。
产能提升细节：
- 目标产品：聚焦最新的HBM4，同时通过转换现有DRAM（动态随机存取存储器）产能及在平泽P4晶圆厂集群新建产线实现扩产。
产能提升背景：
- 2026年产能扩张的核心动力是市场需求回暖：2025年下半年以来，三星HBM3E、HBM4样品在英伟达、博通、AMD三大客户的测试认证中表现良好，已保障2026年订单。
- 此前（2026年初）因HBM3、HBM3E产品初期表现不及竞争对手，三星HBM市场占有率曾极速下滑，生产线长期未满载。
关键结论：
三星通过技术突破（HBM3E/HBM4获客户认可）解决了前期产能闲置问题，借助扩产计划（转换产能+新建产线）和HBM4产品布局，有望在2026年实现产能与订单的双重增长。
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