三星加速韩国半导体工厂扩张：回应DRAM需求，P5/P4产线同步推进
背景：随着人工智能（AI）带动存储半导体产业火热，三星电子推动韩国工厂扩张产能，重点推进平泽市P5、P4两条产线的建设与扩建。
平泽P5产线：“三步并推”抢时间，目标提前投产
- 推进模式：三星以竞标的方式为P5工厂采购气体和化学品供应设备，突破常规（此类设备通常在主体结构完工后采购），采用“主体施工、设备招标与安装同步推进”的“三步并行”模式，目的是提前量产，快速回应DRAM市场需求。
- 产能规划：P5工厂位于平泽第二园区，原计划2028年投产；因内存短缺潮升温，市场预计投产时间可能进一步提前，整体投资规模或达数千亿至数万亿韩元。
- 业内评价：知情人士称，此次P5投资推进速度“前所未有”，反映高管对市场变化的快速响应，计划并行推进设备与主体工程。
平泽P4工厂：设备导入提前，聚焦HBM4芯片
- 扩建进展：P4工厂扩建工程加速，设备导入与试运行较原计划提前2-3个月，主要生产10nm级第六代1c DRAM。
- 产品用途：产出的1c DRAM将用于2026年HBM4芯片（“明年”指报道发布后的下一年，即2026年）。
市场影响：短期短缺难缓解，2027年或见转机
目前工程仍处施工阶段，三星难以在2026年解决内存市场短缺问题，真正转机可能出现在2026年末或2027年。
核心总结：三星通过“同步推进”P5设备与施工、加速P4产能爬坡，以应对DRAM市场需求激增，尽管投资规模庞大且时间紧迫，但短期内产能缓解仍需等待至2027年前后。
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