三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段订购70余台光刻机，瞄准AI时代DRAM产能与供应需求
核心信息：
- 订购规模：三星电子为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群首个阶段（PH1）订购超70台光刻机，覆盖ASML与佳能两家供应商，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。
- 技术定位：PH1阶段将采用1c nm制程工艺生产DRAM（动态随机存取存储器），同时制造通用内存与HBM（高带宽内存），以满足高性能计算需求。
- 投产规划：预计2027年Q2完成洁净室施工后开始安装图案化设备，年内实现产能贡献，目标解决DRAM市场供应紧张问题。
- 需求指向：重点满足英伟达“Rubin”及其他AI XPU（加速处理单元）的算力需求，助力AI芯片供应链稳定。
关键细节：
- 光刻机来源：ASML提供高端EUV曝光系统（20台），佳能负责其他类型设备，确保工艺多元化。
- 产能目标：缓解当前DRAM市场供需矛盾，提升三星在AI芯片配套内存领域的供应能力。
- 时间节点：2027年投运后，通过HBM与通用内存的协同生产，强化对英伟达等AI算力需求的响应能力。
（注：文中“1c nm”可能为表述笔误，原文按报道内容保留；信息来源为韩媒Sedaily及leyunetwork报道，具体技术参数以官方后续披露为准。）
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