铠侠宣布停产2D NAND及初代BiCS 3D NAND闪存：平面存储时代落幕
一、事件核心
铠侠已通知客户，计划停产旗下2D NAND闪存与第三代BiCS 3D NAND闪存产品，正式终结平面NAND闪存的生命周期。
二、停产范围
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具体产品型号：
- 2D NAND：32nm平面浮栅型SLC NAND（2009年量产）、24nm MLC NAND（2010年量产）、15nm MLC/TLC NAND（2014年量产）；
- 第三代BiCS 3D NAND：2017年前后推出的初代64层堆叠BiCS3架构3D NAND闪存。
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覆盖类型：
- 全主流存储单元类型（SLC、MLC、TLC）；
- 全封装形态（裸晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、SD卡等）。
本质：全面退役整套老旧技术平台，而非个别型号。
三、时间节点
- 客户下单截止：2026年9月30日；
- 最终出货：持续至2028年12月31日；
- 全面停产：2028年12月31日后，相关产品正式下架。
四、行业意义
平面NAND闪存自1987年东芝首次量产，经41年发展后，将由铠侠（原东芝存储）在2028年正式退市，标志平面NAND闪存时代彻底落幕，存储行业进入新一代3D NAND制程的转型阶段。
五、停产原因
- 市场需求驱动：AI行业需求暴涨，2D NAND产线因技术落后、利润有限已无实际意义；
- 合约到期：与客户的长期供货合约陆续到期，自然终止生产。
六、应用领域
2D NAND当前主要应用于：车载设备、消费电子、嵌入式设备、工业工控等老旧终端，以及部分长生命周期的特种存储设备。
总结
铠侠此次停产是存储行业技术迭代的必然结果，标志平面NAND时代终结，行业重心将全面转向更先进的3D NAND制程，以适配AI、高性能计算等新兴需求。
（信息来源：leyunetwork，2026年4月1日报道）
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