日本Rapidus半导体技术进展与目标总结
核心技术节点与时间规划
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2nm制程
- 启动与改进：2025年7月启动2nm GAA（全栅极场效应晶体管）试制时，因工艺技术和生产设备未完全就绪，晶体管表现不佳（过程仓促）；2024年9-11月快速改进后，2nm性能显著提升。
- 量产时间表：2026年底开始生产客户设计的2nm测试芯片，2027年实现量产。
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1.4nm过渡节点
- 开发计划：2026年内全面启动1.4nm研发（衔接2nm与1nm），目标2029年量产。
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1nm目标
- 追赶台积电：首席技术官石丸一成提出，目标将1nm先进制程节点落后于台积电的时间缩短至半年左右。
合作与研发布局
- 与IBM深度合作：Rapidus延续与IBM的联合研发，一半工程师位于美国纽约州参与技术攻关。
关键时间线与进展
| 节点 | 启动/改进时间 | 量产/目标时间 | 核心进展 |
|---|---|---|---|
| 2nm GAA | 2025年7月（启动试制）、2024年9-11月（性能改进） | 2026年底（测试芯片）、2027年（量产） | 初期仓促导致表现不佳，改进后性能显著提升，为量产铺路 |
| 1.4nm | 2026年内（全面开发） | 2029年（量产） | 衔接2nm与1nm，作为过渡性先进制程节点 |
| 1nm | （目标缩短落后时间） | – | 以缩短落后台积电的时间为核心目标，需依托1.4nm研发成果推进 |
（注：文中广告声明为常规信息，未影响核心技术内容提取。）
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