中微公司在SEMICON China 2026展会上宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的制造设备，进一步丰富产品组合与系统化解决方案能力。以下是各设备的核心信息：
1. Primo Angnova
- 定位：新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备
- 应用场景：先进节点高深宽比刻蚀工艺（如3nm及以下先进制程）
- 核心技术特点：
- 高深宽比处理能力：超低频射频等离子体源增强离子能量，独立控制离子浓度与能量；第二代LCC射频线圈+直流磁场辅助线圈，四段脉冲控制实现高精度调控。
- 均匀性与温控：200+区独立温控Durga III ESC静电吸盘，边缘AEIT设计提升片内均匀性；中心抽气+对称气流控制，扩展反应腔体压力范围。
- 高效集成：搭载Primo C6V3传送平台，支持6个主刻蚀腔+2个除胶腔，降低综合运行成本。
2. Primo Domingo
- 定位：高选择性刻蚀机
- 应用场景：GAA（全栅极晶体管）、3D NAND、3D DRAM等器件工艺
- 核心技术特点：
- 高选择性工艺：全对称腔体结构+优化流场设计，集成气柜缩短气体注入距离，高抗腐蚀管路与特殊涂层应对高活性刻蚀气体。
- 精准温控与稳定性：双制冷/双加热晶圆基座实现宽范围精准温控，提升刻蚀均匀性与工艺重复性。
- 灵活配置：支持主刻蚀腔与辅助退火腔灵活搭配，适配不同器件工艺需求。
3. Smart RF Match
- 定位：智能射频匹配器
- 应用场景：介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀、先进封装、MEMS、化合物半导体等
- 核心技术特点：
- 射频回路专网：首次引进射频回路专网概念，通过EtherCAT实时传输射频状态信息，主动调节匹配网络并控制射频电源。
- 超快速响应：自主智能匹配控制算法实现微秒级环境响应，匹配速度比传统快百倍以上，刻蚀效率提升15%，射频匹配速度提升225%。
4. Preciomo Udx
- 定位：Micro LED量产MOCVD设备
- 应用场景：Micro LED量产中的MOCVD工序（金属有机化合物化学气相沉积）
- 核心技术特点：
- 波长均匀性优化：新型水平式双旋转反应室结构，温场与流场仿真优化，显著提升波长均匀性。
- 产能与灵活性：最多2个反应腔，可同时加工18片6英寸或12片8英寸外延片，独立控制；符合IC行业标准的EFEM/SMIF系统，实现全自动化传输，降低颗粒污染。
总结：四款设备分别针对先进制程刻蚀、高选择性工艺、射频匹配及Micro LED量产等关键需求，通过精准的技术设计与系统集成，强化了中微公司在半导体设备领域的竞争力。
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