SK启方半导体成功开发宽电压SiC平面MOSFET工艺平台
3月16日，leyunetwork消息显示，SK海力士旗下8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）已完成450~2300V宽电压范围碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台的开发。该成果是其收购同属SK集团的SiC专业公司SK powertech后，整合核心能力的首个关键成果。
技术亮点：
该工艺平台在高压工作环境下表现出高可靠性与稳定性，产品良率达90%以上，覆盖450~2300V宽电压范围，技术成熟度较高。
市场进展：
SK启方半导体已获得专注于SiC设计的客户的1200V高压产品订单，相关产品目前处于开发阶段，预计2027年上半年全面量产。
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