曝三星加快研发 HBM4E 芯片，基础裸片有望采用 2nm 制程

三星计划在下一代HBM芯片中应用2nm制程工艺，强化技术竞争力

核心信息总结

1. 技术规划：三星电子计划在第七代HBM（HBM4E）芯片的基础裸片（base die）中采用2nm制程工艺，以提升技术竞争力，同时整合内存制造与半导体代工能力。
2. HBM结构与功能变化：HBM由“core die”（垂直堆叠DRAM）和“base die”（控制器）组成。HBM3E之前，base die仅负责简单控制功能；HBM4起，base die需处理部分计算任务，逻辑电路功能增强，重要性显著提升。
3. 技术进展与优势：
   • 为提升HBM4性能，三星已采用自研4nm工艺生产base die，并结合第六代10nm工艺的1c DRAM技术，成功领先SK海力士（SK海力士采用台积电12nm工艺）。
   • 从HBM4E开始，三星将推出客户定制化HBM芯片。
4. 产品发布计划：
   • 三星计划年中发布HBM4E标准版，下半年根据客户需求完成定制产品首次流片（tape-in）。

关键细节

• 制程对比：三星HBM4E计划用2nm制程，此前通过4nm（base die）+10nm（1c DRAM）实现对SK海力士12nm工艺的超越。
• 技术定位：HBM4E标志着HBM芯片从通用产品转向客户定制化，凸显三星在内存与代工领域的整合能力。

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