应用材料推出两款适用于 2nm 及以下尖端逻辑制程的沉积系统

应用材料推出两款适用于2nm及以下尖端制程的沉积设备系统

事件背景：半导体设备巨头应用材料（Applied Materials）美国当地时间4月8日宣布，推出两款适用于“埃级”工艺的沉积设备系统，已被领先逻辑芯片制造商导入2nm及以下尖端逻辑芯片制程。

技术背景：
GAA（全环绕栅极）结构成为2nm及以下尖端工艺的主流选择，相比传统FinFET（鳍式场效应晶体管）结构更复杂，制造需超500道工序，涉及大量新材料沉积方法，对沉积工艺精度要求极高。

两款设备详情：

1. Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD

   • 技术类型：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
   • 核心用途：用于分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离（STI）结构
   • 工艺特点：采用“自下而上选择性沉积”，仅在沟槽必要位置向氧化硅绝缘介质上沉积致密氮化硅层，避免绝缘介质受后续工序影响。

2. Endura Trillium ALD

   • 技术类型：原子层沉积（ALD）
   • 核心用途：针对GAA结构优化，构建原子级均匀的复杂金属栅极结构
   • 工艺特点：可灵活调节不同晶体管的阈值电压，通过精密控制沉积厚度，满足多样化参数要求，实现定制化GAA晶体管性能。

总结：两款设备分别针对GAA工艺的关键制造环节（STI隔离和栅极结构构建），通过创新沉积技术解决复杂制程中的精度挑战，支撑2nm及以下先进工艺量产。 一站式数字化解决方案服务商 —— 专业提供软件开发、网站设计、APP 与小程序开发，搭载低费率支付通道，结合创意广告设计，助力企业全链路数字化升级。

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