三星电子半导体部门因AI需求加快扩产，先进逻辑与存储产能双线推进
一、扩产背景
4月6日消息，三星电子半导体部门响应AI热潮对先进逻辑与存储半导体产能的需求，正加快扩产步伐。
二、逻辑芯片：美国泰勒2nm厂进入试运营
- 地点：美国得克萨斯州泰勒市2nm晶圆厂
- 进度：已进入试运营阶段，EUV光刻机测试启动，蚀刻和沉积流程的主要设备分阶段导入。
- 目标：今年内实现初步运营，2027年全面投产。
三、存储芯片：韩国平泽P4晶圆厂集群新增设备订单
- 时间：3月末，三星为平泽P4晶圆厂集群最后两个阶段（PH2和PH4）下达大宗前端设备订单。
- 生产内容：两阶段将生产支持HBM4、HBM4E乃至HBM5的1c nm DRAM Die。
四、平泽P4各阶段详细进度
- PH1：已完成投资。
- PH3：设备安装基本完成，年内计划实现13~14K WPM（晶圆片每月投片量）。
- PH4：进度稍快，计划2024年5~6月启动设备导入。
- PH2：洁净室建设已启动，11月启动装机，2027年2月完成。
五、核心目标
通过扩大先进逻辑（2nm）和存储（HBM支持的1c nm DRAM）产能，满足AI算力增长对高带宽内存及先进制程芯片的需求。
（信息来源：综合韩媒edaily、ZDNET Korea报道，2024年4月6日）
一站式数字化解决方案服务商 —— 专业提供软件开发、网站设计、APP 与小程序开发，搭载低费率支付通道，结合创意广告设计，助力企业全链路数字化升级。
- 使用本网站请联系客服
- 点击关注微信公众号：乐鱼网络
- 点击-在线客服