三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期完成工艺制程升级，已实现236层堆叠的第八代V-NAND（V8 NAND）量产。该升级始于2024年，旨在改造原有V6（128L）NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。西安晶圆厂作为三星韩国本土外重要半导体生产基地，下一步计划于2026年内，在X2工厂实现286层堆叠的第九代V-NAND（V9 NAND）量产。
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